SAM Auto Line

Die vollautomatischen Ultraschallmikroskope der SAM Auto Line ermöglichen die einfache Erkennung von Hohlräumen, Voids, Blasen, Einschlüssen und Delaminationen und eignen sich bestens zur Wafer-Inspektion, Bondkontrolle und MEMS-Inspektion. Eine automatische Defekt-Review-Software übernimmt eine vollständig automatisierte Auswertung der gesamten Wafer. Die Resultate sind auch als klarffiles und VEGA MAP ausgebbar. Auch eine GEM/SECS-Anbindung ist möglich.

Produktinformationen

Informieren Sie sich umfassend über die Möglichkeiten der Ultraschallinspektion, unsere Anlagen, Transducer und Software sowie die spezifischen Anwendungsmöglichkeiten.

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Auto Wafer

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    Die SAM 300 Auto Wafer ist eine speziell für die “Inline” Produktionskontrolle entwickelte Produktlinie. Sie entspricht der Reinraumklasse 10 und wurde für die Inspektion von Wafern oder gebondeten Wafern (MEMS) entworfen, um Hohlräume, Einschlüsse oder Delaminationen in gebondeten Schichten zu entdecken.

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Auto Tray

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    Diese Linie wurde speziell für die Produktionskontrolle von elektronischen Geräten, Leiterplatten, IGBTs und anderen komplexen Komponenten entwickelt. Die Systeme entsprechen der Reinraumklasse 10. Die wichtigste Anwendung besteht im Nachweis von Fehlstellen wie Lücken, Blasen, Löchern, Einschlüssen, delaminierten Bereichen oder Dickenvariationen in gelöteten oder Ag-gesinterten Interfaces. Dabei können mehrere Schichten gleichzeitig kontrolliert werden.

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Auto Ingot

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    Die Auto Ingot Linie zeichnet sich durch ein akustisch-tomographisches Analysesystem für die Volumenanalyse größerer Bauteile aus. Es wurde ursprünglich für die Inspektion einkristalliner Si-Ingots entwickelt, es lassen sich aber auch andere Materialsysteme wie z.B. Ge, GaAs usw. untersuchen. Bei Si-Ingots werden so genannte „Pinholes“ (Micro-Voids) analysiert, wobei hierbei die Information über die Defektgröße und Defekttiefe im Vordergrund stehen.

    Das System erlaubt die Messung von 5 - 12 Zoll Silizium Ingots bis zu einer Länge von 400 mm und einem Gewicht von bis zu 75 kg. Die Defektauflösung von Pinholes in Silizium beträgt 100 µm. Andere Geometrien von Proben können kundenspezifisch entwickelt werden (Probenaufnahme und Scanner), ebenso wie andere Scan-Bereiche.

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