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SAM Software
Die hohe Leistungsfähigkeit unserer Anlagen ergibt sich nicht zuletzt aus dem Zusammenspiel mit unserer spezifisch dafür entwickelten Software. Sie ermöglicht die vollumfängliche und präzise Abbildung sowie Analyse sämtlicher SAM-Daten.
Produktinformationen
Informieren Sie sich umfassend über die Möglichkeiten der Ultraschallinspektion, unsere Anlagen, Transducer und Software sowie die spezifischen Anwendungsmöglichkeiten.
WINSAM 8
Alle PVA TePla SAM Anlagen werden durch eine fortschrittliche, intuitive grafische Benutzeroberfläche und das Steuerprogramm WINSAM 8 unter Verwendung einer Windows® 10 Plattform gesteuert. WINSAM 8 ist leicht zu erlernen und für eine Vielzahl von Aufgaben einsetzbar.
Das Programm ermöglicht die Speicherung und den Wiederaufruf der Geräte-Setup-Parameter mit jedem Bild, das im TIFF-Format gespeichert wurde. Alle SAM-Parameter können aufgerufen und reseted werden, so dass das System mehrere Analysen unter identischen Bedingungen durchführen kann.
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Funktionsübersicht:
- variable Verstärkung, Gate-Breite und Gate-Verzögerung vor und während des Scanvorgangs
- wählbarer Schwellenwert, positiv-negative Peak-Phasendetektion: Amplitude, bipolar
- vollständig flexible Scanfeldmaße in X und Y- Richtung einstellbar
- flexible Bildauflösung durch wählbare Pixelgröße, Konfiguration in der Software
- minimale Pixelgröße 0,5 µm • maximale Auflösung (32000 x 32000 Pixel)
- Schnellmodus: Scannen mit Interpolation in Y-Richtung, z.B. mit 500 x 250 Auflösung, anwendbar auf Meander-Scan
- TIFF-Datei enthält mehrere Gate-Bilder
- SSP-Bilddarstellung
- Flexible A-Scan Struktur
- Visualisierung des Scan-Feldes
- Vollständige Remote-Konnektivität
Spezifische Bildverarbeitung

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Funktionsübersicht:
Bildverarbeitung für Wafer mit Chipstrukturen
- Chipstrukturspezifische Analysen durch Skriptsprache
- Defektausgabe durch Wafermapping (auch kundenspezifische Formate sind möglich)
Bildverarbeitung für Wafer ohne Chipstrukturen
- Steuerung der Software über Notch Training
- Erkennung der Defektgröße und -lage
- Inspektion des Waferrandes
SECS / GEM Anbindung

Mit unseren spezifischen SECS/GEM-Schnittstellen stellen wir die Verbindung zwischen unseren Anlagen und den daran angebundenen Produktionsleitsystem bereit und ermöglichen die Übertragung aller Produktions- und Anlagendaten, Prozesswerte und -parameter.
Diese Schnittstellenimplementierung entspricht den Anforderungen der SEMI Equipment Communications Standard (SECS) von Semiconductor Equipment and Materials International (SEMI).
Die PVA TePla Analytical Systems GmbH hat SECS I, HSMS und Standard SECS II "Streams" und "Funktionen" für die serielle und die TCP / IP Kommunikation mit einem Host Computer implementiert.

SAMnalysis
SAMnalysis vereint den Stand der Technik von Vor- und Nachbearbeitungsalgorithmen mit einer geeigneten Ergebnisverarbeitung und einem eigenen Managementsystem.
Das Softwarepaket wurde für die erweiterte Fehleranalyse von SAM-Daten, zur Qualitätskontrolle und für wissenschaftliche Anwendungen entwickelt – etwa auf den Gebieten der Materialanalytik, bei bio-medizinischen Fragestellungen oder für Fehleranalysen in der Halbleiterindustrie. Quantitative und qualitative Auswerteroutinen und Algorithmen helfen, aufgezeichnete Z-Scans zu analysieren.
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Funktionsübersicht:
- 3D- und volumetrische Untersuchung, sogar von komplexen Proben
- 3D-Rendering von internen Strukturen und Schnittstellen
- Auswertung von Oberflächendeformationen (warpage, bow)
- Umfangreiche Auswertungen und Modifikationen von SAM Daten (Bildkontrast, Threshold, Bildinterpolationen, bildanalytische Filter)
- Time Of Flight Analyse, Dickenmessungen über die Laufzeit des Ultraschalls
- Toolbox für die quantitative Ermittlung mechanischer und elastischer Eigenschaften
- Bewertung gebrochener Bereiche
- Vergleichende Bildanalyse von Auswirkungen / Defekten/ Unterschieden vor und nach Belastung
- Spektral- und wavelet-basierte Schmalband-Abbindung zur Auflösungsverbesserung
- Quantitative Analyse zur Extrahierung von Defekten oder internen Strukturen in der Probe; verschiedene Methoden zur akkuraten Entfernung von Proben-Neigungen